Übertrager für BMS
VGT10/9EE-X01S1P4
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Grösse
| Länge (L) |
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| Breite (W) |
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| Dicke (T) |
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Elektrische Kennwerte
| Windungsverhältnis |
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| Kopplung |
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| Induktivität |
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| Streuinduktivität [Max.] |
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| Spannungsfestigkeit [Pri-Sec] |
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| Spannungsfestigkeit [Kern] |
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Weiteres
| Betriebstemperaturbereich |
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| AEC-Q200 |
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| Verpackung |
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| Stückzahl |
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| Gewicht |
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Technische Information
Charakteristische Kurve
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Keramik-Vielschichtkondensatoren (MLCC)
CGA2B2NP01H150J050BA
Capacitance=15pF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
SMD / SMT-Induktivitäten (Spulen)
B82471A1103M000
L=10μH
Rated current=1.8A
6.1mm x 5.6mm
SMD / SMT-Induktivitäten (Spulen)
LTF3020T-2R2N-D
L=2.2μH
Rated current=1.20A
L x W x T :
4.5 x 3.0 x 2.0mm
SMD / SMT-Induktivitäten (Spulen)
LTF3020T-3R3N-D
L=3.3μH
Rated current=0.99A
L x W x T :
4.5 x 3.0 x 2.0mm
Chip Varistors / Ceramic Transient Voltage Suppressors
B72520V0250K062
Current-Sense-Übertrager
VST16/8EE-200S1C2
Sensed Current=40A max
TR=1:100
Current-Sense-Übertrager
VST16/8EE-201S1C2
Sensed Current=40A max
TR=1:200
Übertrager für IGBT/FET
VGT10SEE-200S2A5
Flyback transformer (Distributed), 2 outputs
20μH, TR=1:1:1:1
Übertrager für IGBT/FET
VGT12EEM-200S1A4
Flyback transformer (Distributed), 1 output
10μH, TR=1:1.6:2.9
Übertrager für IGBT/FET
VGT15EFD-200S3A6
Flyback transformer (Centralized), 3 outputs
8μH, TR=1:2.8:2.8:2.8:2.8