Übertrager für BMS
VMT45DR-X02S1P4
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Grösse
| Länge (L) |
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| Breite (W) |
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| Dicke (T) |
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Elektrische Kennwerte
| Windungsverhältnis |
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| Kopplung |
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| Induktivität |
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| Streuinduktivität [Max.] |
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| Spannungsfestigkeit [Pri-Sec] |
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| Spannungsfestigkeit [Kern] |
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Weiteres
| Betriebstemperaturbereich |
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| AEC-Q200 |
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| Verpackung |
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| Stückzahl |
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| Gewicht |
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Technische Information
Charakteristische Kurve
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Keramik-Vielschichtkondensatoren (MLCC)
CEU4J2X7R2A153K125AE
Capacitance=15nF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Serial design
AEC-Q200
SMD / SMT-Induktivitäten (Spulen)
MLZ1608N100LTD25
L=10μH
Rated current=60mA
L x W x T :
1.6 x 0.8 x 0.8mm
Gleichtaktdrossel/Filter für Signalleitungen
MCZ1210DH120CPTA0G
|Z|=12Ω at 100MHz
Rated current=0.1A
L x W x T :
1.25mm x 1mm x 0.5mm
Gleichtaktdrossel/Filter für Signalleitungen
TCM0605T-080-2P-T201
|Z|=8Ω at 100MHz
Rated current=0.1A
L x W x T :
0.65mm x 0.5mm x 0.3mm
Gleichtaktdrossel/Filter für Signalleitungen
TCM0906C-400-3P-T200
|Z|=40Ω at 100MHz
Rated current=100mA
L x W x T :
0.875mm x 0.65mm x 0.4mm
SMD Scheibenvaristoren (CU)
B72650M0110K072
Max. Operating Voltage [AC]=11Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=100A
Übertrager für IGBT/FET
B82804A0354A110
Gate-drive transformer, 1 output
350μH, TR=1:1
Übertrager für IGBT/FET
VGT10SEE-200S2A5
Flyback transformer (Distributed), 2 outputs
20μH, TR=1:1:1:1
Übertrager für IGBT/FET
VGT12EEM-200S1A4
Flyback transformer (Distributed), 1 output
10μH, TR=1:1.6:2.9
Übertrager für IGBT/FET
VGT15EFD-200S3A6
Flyback transformer (Centralized), 3 outputs
8μH, TR=1:2.8:2.8:2.8:2.8
