チップビーズ
MPZ1608S221ATD25
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寸法
長さ(L) |
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幅(W) |
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厚み(T) |
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推奨ランドパターン(A) |
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推奨ランドパターン(B) |
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推奨ランドパターン(C) |
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電気的特性
インピーダンス at 100MHz |
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定格電流 |
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直流抵抗 (Max.) |
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その他
使用温度範囲(自己温度上昇含む) |
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はんだ付け方法 |
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AEC-Q200 |
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包装形態 |
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梱包数 |
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重量 |
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FIT (Failure In Time) |
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製品情報
ドキュメント
特性グラフ (参考データであり、製品の特性を保証するものではありません。)
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積層セラミックチップコンデンサ
C1005NP01H101J050BA
Capacitance=100pF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1x0.5x0.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)

積層セラミックチップコンデンサ
C2012JB2A103K085AA
Capacitance=10nF
Edc=100V
T.C.=JB
LxWxT:2x1.25x0.85mm
Mid Volt. (100 to 630V)

積層セラミックチップコンデンサ
C3225X6S0J107M250AC
Capacitance=100μF
Edc=6.3V
T.C.=X6S
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
General

積層セラミックチップコンデンサ
C3225X6S0J476M250AC
Capacitance=47μF
Edc=6.3V
T.C.=X6S
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
General

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G1H4R7C080AD
Capacitance=4.7pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3NP02E103J125AA
Capacitance=10nF
Edc=250V
T.C.=NP0
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

インダクタ(コイル)
CLF5030NIT-470M-D
L=47μH
Rated current=0.68A
L x W x T :
5.3 x 5 x 2.7mm

インダクタ(コイル)
CLF5030NIT-471M-D
L=470μH
Rated current=0.17A
L x W x T :
5.3 x 5 x 2.7mm

インダクタ(コイル)
VLS252012ET-3R3M
L=3.3μH
Rated current=1.4A
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.2mm

インダクタ(コイル)
VLS4012HBX-R68M-N
L=0.68μH
Rated current=5.36A
L x W x T :
4 x 4 x 1.2mm