インダクタ(コイル)
CLF10060NIT-151M-D
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み | 高さ |
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| 推奨ランドパターン(A) |
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| 推奨ランドパターン(B) |
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| 推奨ランドパターン(C) |
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電気的特性
| インダクタンス |
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| 定格電流(L変化による) [Typ.] |
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| 定格電流(L変化による) [Max.] |
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| 定格電流(温度上昇による) [Typ.] |
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| 定格電流(温度上昇による) [Max.] |
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| 直流抵抗 [Typ.] |
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| 直流抵抗 [Max.] |
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| 定格電圧 [Max.] |
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| 自己共振周波数 [Min.] |
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| 自己共振周波数 [Typ.] |
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| Q [Min.] |
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| Q [Typ.] |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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| FIT (Failure In Time) |
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製品情報
ドキュメント
技術支援ツール
3rd Party ECAD models
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2NP01H221J080AA
Capacitance=220pF
Edc=50V
T.C.=NP0
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X8R1H473K080AA
Capacitance=47nF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X7S1A225K080AE
Capacitance=2.2μF
Edc=10V
T.C.=X7S
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1X8R1E106M250AC
Capacitance=10μF
Edc=25V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P3X8R1C106K250AB
Capacitance=10μF
Edc=16V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層型リード付きコンデンサ
FK28X7R1H102KN006
Capacitance=1nF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:5mm
General
スナバ, 共振回路及び力率改善(PFC)用コンデンサ
B32672Z5105K000
1uF, 520V DC
11mm(W) x 18.5mm(H) x 18mm(L)
インダクタ(コイル)
CLF10040T-101M-D
L=100μH
Rated current=1A
L x W x T :
10 x 9.7 x 3.8mm
インダクタ(コイル)
CLF10060NIT-100M-D
L=10μH
Rated current=3.6A
L x W x T :
10.1 x 10 x 6.0mm
インダクタ(コイル)
CLF10060NIT-101M-D
L=100μH
Rated current=1.35A
L x W x T :
10.1 x 10 x 6.0mm
