インダクタ(コイル)
VLBU805080T-R10L
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み | 高さ |
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| 推奨ランドパターン(A) |
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| 推奨ランドパターン(B) |
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| 推奨ランドパターン(C) |
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電気的特性
| インダクタンス |
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| 定格電流(L変化による) [Typ.] |
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| 定格電流(L変化による) [Max.] |
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| 定格電流(温度上昇による) [Typ.] |
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| 定格電流(温度上昇による) [Max.] |
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| 直流抵抗 [Typ.] |
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| 直流抵抗 [Max.] |
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| 定格電圧 [Max.] |
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| 自己共振周波数 [Min.] |
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| 自己共振周波数 [Typ.] |
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| Q [Min.] |
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| Q [Typ.] |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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| FIT (Failure In Time) |
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製品情報
ドキュメント
技術支援ツール
3rd Party ECAD models
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C2012X8L1A106K125AE
Capacitance=10μF
Edc=10V
T.C.=X8L
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Soft termination
積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2C0G2A221J050BA
Capacitance=220pF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:1x0.5x0.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A182G200AC
Capacitance=1.8nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A182J200AC
Capacitance=1.8nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A392G200AC
Capacitance=3.9nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A392J200AC
Capacitance=3.9nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
インダクタ(コイル)
VLBU1024660R10MF4
L=100nH
Rated current=58A
L x W x T :
10.2 x 4.6 x 6.0mm
インダクタ(コイル)
VLBU805080T-R12L
L=0.12uH
Rated current=65A
L x W x T :
8.0 x 5.0 x 8.0mm
インダクタ(コイル)
VLBU805080T-R18L
L=0.18uH
Rated current=65A
L x W x T :
8.0 x 5.0 x 8.0mm
インダクタ(コイル)
VLBU9664100LT-R10L
L=0.10uH
Rated current=75A
L x W x T :
9.6 x 6.4 x 10.0mm
