チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C080MTABB
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み | 高さ |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 静電容量 (Typ.) |
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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| ESDクランプ電圧 [2kV] |
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| ESDクランプ電圧 [8kV] |
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 (Environment) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
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| AEC-Q200 ESD |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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製品情報
ドキュメント
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RoHS証明書
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SVHC/REACH証明書
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[セレクションガイド] ESD保護デバイス セレクションガイド(一般グレード)Update
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C2012X7T2V333K125AA
Capacitance=33nF
Edc=350V
T.C.=X7T
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
C3216X8R2A224K160AB
Capacitance=0.22μF
Edc=100V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
High Temp. (Up to 150ºC)
ESD保護機能付きノッチフィルタ
AVRF101U6R8KT242
fn=2.4GHz
Vdc=28V,ESD=8kV 1.0mm x 0.5mm [EIA 0402]
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C080MTAAB
Maximum continuous voltage [DC]=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=14V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C080MTACB
Maximum continuous voltage [DC]=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=19V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C080MTADB
Maximum continuous voltage [DC]=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=14V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C120MTAAB
Maximum continuous voltage [DC]=7.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=20V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C270MTAAB
Maximum continuous voltage [DC]=15V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=47V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C120MT6AB
Maximum continuous voltage [DC]=7.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=20V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270KT2AB
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=42V