チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C080MTADB
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み | 高さ |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 静電容量 (Typ.) |
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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| ESDクランプ電圧 [2kV] |
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| ESDクランプ電圧 [8kV] |
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 (Environment) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
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| AEC-Q200 ESD |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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製品情報
ドキュメント
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RoHS証明書
-
SVHC/REACH証明書
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[セレクションガイド] ESD保護デバイス セレクションガイド(一般グレード)Update
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C1608C0G1H332J080AE
Capacitance=3.3nF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Soft termination
積層セラミックチップコンデンサ
C1608C0G2A221J080AA
Capacitance=220pF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
C3216X5R1C106M160AA
Capacitance=10μF
Edc=16V
T.C.=X5R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X5R1V224K080AB
Capacitance=0.22μF
Edc=35V
T.C.=X5R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
PhaseCap® Energy コンデンサ
B25674A6062J990
Output[50Hz] = 6.9kvar
Output[60Hz] = 8.3kvar
Rated Voltage = 690VAC
PhaseCap® Energy コンデンサ
B25674A6302J090
Output[50Hz] = 30kvar
Rated Voltage = 690VAC
インダクタ(コイル)
VLF3010AT-3R3MR87
L=3.3μH
Rated current=0.87A
L x W x T :
2.8 x 2.6 x 1mm
インダクタ(コイル)
VLS3010CX-3R3M-1
L=3.3μH
Rated current=0.90A
L x W x T :
3 x 3 x 1.0mm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C080MTAAB
Maximum continuous voltage [DC]=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=14V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C080MTABB
Maximum continuous voltage [DC]=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=15V