チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C120MTAAB
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み | 高さ |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 静電容量 (Typ.) |
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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| ESDクランプ電圧 [2kV] |
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| ESDクランプ電圧 [8kV] |
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 (Environment) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
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| AEC-Q200 ESD |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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製品情報
ドキュメント
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RoHS証明書
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SVHC/REACH証明書
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G1H391J080AA
Capacitance=390pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層型リード付きコンデンサ
FA20X7R1H105KNU00
Capacitance=1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:5.5x7x4mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
積層型リード付きコンデンサ
FG28C0G1H221JNT06
Capacitance=220pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:5mm
General
積層型リード付きコンデンサ
FG28X5R1H105KRT00
Capacitance=1μF
Edc=50V
T.C.=X5R
LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:5mm
General
積層型リード付きコンデンサ
FK28C0G1H221JN006
Capacitance=220pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:5mm
General
PhaseCap® Energy コンデンサ
B25674A6062J990
Output[50Hz] = 6.9kvar
Output[60Hz] = 8.3kvar
Rated Voltage = 690VAC
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C080MTAAB
Maximum continuous voltage [DC]=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=14V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C080MTABB
Maximum continuous voltage [DC]=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=15V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C080MTACB
Maximum continuous voltage [DC]=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=19V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C080MTADB
Maximum continuous voltage [DC]=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=14V