チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C220KT2AB
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寸法
長さ(L) |
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幅(W) |
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厚み | 高さ |
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端子幅(B) |
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推奨ランドパターン(PA) |
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推奨ランドパターン(PB) |
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推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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最大許容回路電圧 [DC] |
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静電容量 (Typ.) |
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最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV] |
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ESDクランプ電圧 [8kV] |
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エネルギー耐量 |
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その他
使用温度範囲 |
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はんだ付け方法 |
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AEC-Q200 (Environment) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
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AEC-Q200 ESD |
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包装形態 |
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梱包数 |
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重量 |
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製品情報
ドキュメント
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RoHS証明書
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SVHC/REACH証明書
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データシート
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[セレクションガイド] ESD保護デバイス セレクションガイド(車載グレード)Update
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J2C0G1H333J125AA
Capacitance=33nF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CKG45NX7S1H106M500JJ
Capacitance=10μF
Edc=50V
T.C.=X7S
LxWxT:5x3.5x5mm
MEGACAP type
AEC-Q200

インダクタ(コイル)
VLF302510MT-2R2M
L=2.2μH
Rated current=1.5A
L x W x T :
3 x 2.5 x 1mm

チップビーズ
MMZ2012Y600BT000
|Z|=60Ω at 100MHz
Rated current=1000mA
L x W x T :
2mm x 1.25mm x 0.85mm

CeraDiode®
B72590D0150H060 (LED)
Max. working voltage=15V DC

CeraDiode®
B72590D0201B060
Max. working voltage=200V DC

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C180MTAAB
Maximum continuous voltage [DC]=11V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=30V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C270MTABB
Maximum continuous voltage [DC]=15V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=49V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C080MTAAB
Maximum continuous voltage [DC]=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=15V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C120MT2AB
Maximum continuous voltage [DC]=7.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=20V