チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C220KT6AB
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寸法
長さ(L) |
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幅(W) |
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厚み | 高さ |
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端子幅(B) |
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推奨ランドパターン(PA) |
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推奨ランドパターン(PB) |
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推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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最大許容回路電圧 [DC] |
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静電容量 (Typ.) |
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最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV] |
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ESDクランプ電圧 [8kV] |
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エネルギー耐量 |
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その他
使用温度範囲 |
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はんだ付け方法 |
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AEC-Q200 (Environment) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
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AEC-Q200 ESD |
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包装形態 |
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梱包数 |
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重量 |
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製品情報
ドキュメント
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RoHS証明書
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SVHC/REACH証明書
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データシート
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[セレクションガイド] ESD保護デバイス セレクションガイド(車載グレード)Update
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積層セラミックチップコンデンサ
C1608C0G2A040C080AA
Capacitance=4pF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)

積層セラミックチップコンデンサ
C1608CH1H040C080AA
Capacitance=4pF
Edc=50V
T.C.=CH
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General

EMI抑制コンデンサ
B32926C3825M000
8.2uF, 305Vrms AC
20m(W) x 39.5m(H) x 42m(L)

CeraDiode®
B72500D0200A060
Max. working voltage=22V DC
Capacitance (Typ.)=56pF

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C080MTAAB
Maximum continuous voltage [DC]=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=15V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C120MT6AB
Maximum continuous voltage [DC]=7.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=20V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C220KT2AB
Maximum continuous voltage [DC]=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=37V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270KT2AB
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=42V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270KT6AB
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=42V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270MTAAB
Maximum continuous voltage [DC]=17V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=52V