チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ

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AVR-M2012C120MT6AB

製品ステータス
量産体制
用途
一般グレード
用途詳細
SwitchSwitch
特徴
Low Clamp低クランプ電圧
≥15kV ESDESD 15kV以上
≥25kV ESDESD 25kV以上
シリーズ
AVR
ブランド
TDK
環境対応 このアイコンについて詳しく知る
RoHSReachHalogen FreePb Free

製品画像は代表的な製品を表示しています。

3Dモデル

寸法

長さ(L)
2.00mm ±0.20mm
幅(W)
1.25mm ±0.20mm
厚み | 高さ
1.00mm ±0.20mm
端子幅(B)
0.20mm Min.
推奨ランドパターン(PA)
1.05mm ±0.15mm
推奨ランドパターン(PB)
0.80mm ±0.10mm
推奨ランドパターン(PC)
1.05mm ±0.15mm

電気的特性

バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA
12V
最大許容回路電圧 [DC]
7.5V
静電容量 (Typ.)
1nF
最大クランプ電圧 [8/20μs]
20V
最大サージ電流 [8/20μs]
60A
ESDクランプ電圧 [2kV]
Vave≤20V
ESDクランプ電圧 [8kV]
20V<Vave≤40V
エネルギー耐量
200mJ

その他

使用温度範囲
-40～85°C
はんだ付け方法
リフロー
AEC-Q200 (Environment)
NO
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1)
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a)
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b)
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a)
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b)
AEC-Q200 ESD
包装形態
エンボステーピング(180mm リール)
梱包数
2000pcs
重量
0.013g
カタログ

代理店在庫

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