チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C220YT201MA8
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寸法
長さ(L) |
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幅(W) |
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厚み | 高さ |
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端子幅(B) |
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推奨ランドパターン(PA) |
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推奨ランドパターン(PB) |
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推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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最大許容回路電圧 [DC] |
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静電容量 (Typ.) |
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最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV] |
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ESDクランプ電圧 [8kV] |
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エネルギー耐量 |
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その他
使用温度範囲 |
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はんだ付け方法 |
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AEC-Q200 (Environment) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
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AEC-Q200 ESD |
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包装形態 |
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梱包数 |
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重量 |
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製品情報
ドキュメント
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RoHS証明書
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SVHC/REACH証明書
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データシート
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B25680C3407K003
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EMI抑制コンデンサ
B32036A4474M000
0.47uF, 350Vrms AC
16m(W) x 28.5m(H) x 42m(L)

インダクタ(コイル)
MHQ1005P40NHT000
L=40nH
Q=20
L x W x T :
1 x 0.6 x 0.5mm

インダクタ(コイル)
MLG1608SR68JTD4C

信号ライン用コモンモードチョーク/フィルタ
TCE0806S-500-2P-T200
|Z|=50Ω at 100MHz
Rated current=0.1A
L x W x T :
0.85mm x 0.65mm x 0.4mm

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C180MTAAB
Maximum continuous voltage [DC]=11V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=30V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270KT6AB
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=42V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C101KT1R2YE8
Maximum continuous voltage [DC]=70V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=187V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C221KT1R5YA8
Maximum continuous voltage [DC]=70V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=400V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C270KT150NA8
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=52V