チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C390KT150NA8
新製品
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み | 高さ |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 静電容量 (Typ.) |
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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| ESDクランプ電圧 [2kV] |
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| ESDクランプ電圧 [8kV] |
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 (Environment) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
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| AEC-Q200 ESD |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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製品情報
ドキュメント
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RoHS証明書
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SVHC/REACH証明書
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データシート
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[セレクションガイド] ESD保護デバイス セレクションガイド(車載グレード)Update
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA1A2C0G1E030C030BA
Capacitance=3pF
Edc=25V
T.C.=C0G
LxWxT:0.6x0.3x0.3mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4F1C0G2A153J085AE
Capacitance=15nF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x0.85mm
Soft termination
AEC-Q200
インダクタ(コイル)
BCL322515RT-6R8M-D
L=6.8μH
Rated current=1.43A
L x W x T :
3.2 x 2.5 x 1.5mm
チップビーズ
MMZ1005S601CTD25
|Z|=600Ω at 100MHz
Rated current=300mA
L x W x T :
1mm x 0.5mm x 0.5mm
信号ライン用コモンモードチョーク/フィルタ
MCZ1210DH800CPTA0G
|Z|=80Ω at 100MHz
Rated current=0.1A
L x W x T :
1.25mm x 1mm x 0.5mm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270KT2AB
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=42V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C101KT1R1NE8
Maximum continuous voltage [DC]=70V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=190V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C101KT1R2YE8
Maximum continuous voltage [DC]=70V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=187V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C101KT4R7YA8
Maximum continuous voltage [DC]=70V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=212V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C220YT201MA8
Maximum continuous voltage [DC]=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=40V