チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRL161A6R8GTA
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み | 高さ |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 静電容量 (Typ.) |
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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| ESDクランプ電圧 [2kV] |
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| ESDクランプ電圧 [8kV] |
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 (Environment) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
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| AEC-Q200 ESD |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2C0G1H121J050BD
Capacitance=120pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1x0.5x0.5mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
インダクタ(コイル)
CLF10040T-471M-D
L=470μH
Rated current=0.44A
L x W x T :
10 x 9.7 x 3.8mm
インダクタ(コイル)
CLF6045T-2R2N-D
L=2.2μH
Rated current=3.9A
L x W x T :
6.2 x 5.9 x 4.5mm
インダクタ(コイル)
MLG0603P0N6BTD25
L=0.6nH
SRF=10GHz
L x W x T :
0.6 x 0.3 x 0.3mm
インダクタ(コイル)
NLFV25T-220K-PF
L=22μH
DC Resistance=1.2Ω
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.8mm
インダクタ(コイル)
NLFV25T-2R2M-PF
L=2.2μH
DC Resistance=0.12Ω
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.8mm
インダクタ(コイル)
NLV25T-1R2J-PF
L=1.2μH
Q=30
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.8mm
インダクタ(コイル)
NLV25T-3R3J-PFD
L=3.3μH
Q=30
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.8mm
インダクタ(コイル)
NLV32T-220J-PF
L=22μH
Q=30
L x W x T :
3.2 x 2.5 x 2.2mm
インダクタ(コイル)
SLF10145T-470M1R4-H
L=47μH
Rated current=1.4A
L x W x T :
10.1 x 10.1 x 4.5mm