チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRL161D6R8GTA
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み | 高さ |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 静電容量 (Typ.) |
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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| ESDクランプ電圧 [2kV] |
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| ESDクランプ電圧 [8kV] |
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 (Environment) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
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| AEC-Q200 ESD |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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製品情報
ドキュメント
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RoHS証明書
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SVHC/REACH証明書
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データシート
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[セレクションガイド] ESD保護デバイス セレクションガイド(車載グレード)Update
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C2012C0G2W181J060AA
Capacitance=180pF
Edc=450V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x0.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
C5750X5R1H106K230KA
Capacitance=10μF
Edc=50V
T.C.=X5R
LxWxT:5.7x5x2.3mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4C4C0G2W181J060AA
Capacitance=180pF
Edc=450V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x0.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M3X7R1H225K200AB
Capacitance=2.2μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x2.5x2mm
General
AEC-Q200
円板形リード付きコンデンサ(中高圧セラミックコンデンサ)
CK45-B3AD221KYGNA
Capacitance=220pF
Edc=1000Vdc
T.C.=B
DxT: 5.5x5mm ,F: 5mm
Halogen-free
積層型リード付きコンデンサ
FG28C0G1H101JNT00
Capacitance=100pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:5mm
General
積層型リード付きコンデンサ
FK28C0G1H101JN000
Capacitance=100pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:5mm
General
スナバ, 共振回路及び力率改善(PFC)用コンデンサ
B32671P4105J000
1uF, 450V DC
8mm(W) x 17.5mm(H) x 13mm(L)
インダクタ(コイル)
NLC453232T-221K-PF
L=220μH
DC Resistance=9Ω
L x W x T :
4.5 x 3.2 x 3.2mm
インダクタ(コイル)
NLV25T-100J-EF
L=10μH
Q=25
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.8mm