チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRM0402C120MT330N
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み | 高さ |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 静電容量 (Typ.) |
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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| ESDクランプ電圧 [2kV] |
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| ESDクランプ電圧 [8kV] |
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 (Environment) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
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| AEC-Q200 ESD |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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製品情報
ドキュメント
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RoHS証明書
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SVHC/REACH証明書
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データシート
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EMI抑制コンデンサ
B32022H3563K000
0.056 µF, 300 V rms AC
9.0m(W) x 17.5m(H) x 18.0m(L)
ノイズサプレッションフィルタ
MAF0603FAL470BT000
|Z|=47Ω at 100MHz
Rated current=200mA
L x W x T :
0.6mmx0.3mmx0.3mm
CeraDiode®
B72570D0120A060
Max. working voltage=12V DC
Capacitance (Typ.)=82pF
CeraDiode®
B72590D0201B060
Max. working voltage=200V DC
CeraDiode®
B72590D0360B060
Max. working voltage=36V DC
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M0603C120MTAAB
Maximum continuous voltage [DC]=7.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=23V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M2012C120MT6AB
Maximum continuous voltage [DC]=7.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=20V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRL041E1R1NTA
Maximum continuous voltage [DC]=25V
Capacitance = 1.1pF
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRM0402C6R8NT101N
Maximum continuous voltage [DC]=3.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=15V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRM0603C080MT101N
Maximum continuous voltage [DC]=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=17V