チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ

AVRM0603C120MT101N

用途
一般グレード一般グレード
用途詳細
SwitchSwitch
特徴
Low Clamp低クランプ電圧
シリーズ
AVR
ステータス
量産体制量産体制
ブランド
TDK
  • ESD/サージ保護デバイス,チップバリスタ,セラミック過渡電圧サプレッサ:2Term
  • ESD/サージ保護デバイス,チップバリスタ,セラミック過渡電圧サプレッサ:2Term

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3Dモデル

寸法

長さ(L)
0.60mm ±0.03mm
幅(W)
0.30mm ±0.03mm
厚み | 高さ
0.30mm ±0.03mm
端子幅(B)
0.10mm Min.
推奨ランドパターン(PA)
0.30mm ±0.05mm
推奨ランドパターン(PB)
0.25mm ±0.05mm
推奨ランドパターン(PC)
0.30mm +0.06,-0.05mm

電気的特性

バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA
12.8V
最大許容回路電圧 [DC]
5.5V
静電容量 (Typ.)  ?
100pF
最大クランプ電圧 [8/20μs]
20V
最大サージ電流 [8/20μs]
5A
ESDクランプ電圧 [2kV]  ?
20V<Vave≤40V
ESDクランプ電圧 [8kV]  ?
20V<Vave≤40V
エネルギー耐量
10mJ

その他

使用温度範囲
-40～85°C
はんだ付け方法
リフロー
AEC-Q200 (Environment)
NO
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1)
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a)
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b)
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a)
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b)
AEC-Q200 ESD
包装形態
紙テーピング(180mm リール)
梱包数
15000pcs
重量
0.0002g

ドキュメント

技術支援ツール

特性グラフ (参考データであり、製品の特性を保証するものではありません。)

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