チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ

AVRM1608C560KT101M

用途
車載グレード車載グレード
用途詳細
特徴
≥15kV ESDESD 15kV以上
≥25kV ESDESD 25kV以上
AEC-Q200AEC-Q200
150°C150°C
シリーズ
AVR
ステータス
量産体制量産体制
ブランド
TDK
  • ESD/サージ保護デバイス,チップバリスタ,セラミック過渡電圧サプレッサ:2Term
  • ESD/サージ保護デバイス,チップバリスタ,セラミック過渡電圧サプレッサ:2Term

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3Dモデル

寸法

長さ(L)
1.60mm ±0.10mm
幅(W)
0.80mm ±0.10mm
厚み | 高さ
0.80mm ±0.10mm
端子幅(B)
0.20mm Min.
推奨ランドパターン(PA)
0.70mm ±0.10mm
推奨ランドパターン(PB)
0.70mm ±0.10mm
推奨ランドパターン(PC)
0.70mm ±0.10mm

電気的特性

バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA
56V
最大許容回路電圧 [DC]
40V
静電容量 (Typ.)  ?
100pF
最大クランプ電圧 [8/20μs]
113V
最大サージ電流 [8/20μs]
60A
ESDクランプ電圧 [2kV]  ?
80V<Vave
ESDクランプ電圧 [8kV]  ?
80V<Vave
エネルギー耐量
100mJ

その他

使用温度範囲
-55~150°C
はんだ付け方法
リフロー
AEC-Q200 (Environment)
YES
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1)
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a)
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b)
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a)
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b)
AEC-Q200 ESD
6[ ≥25000V(AD)]
包装形態
紙テーピング(180mm リール)
梱包数
4000pcs
重量
0.0053g

特性グラフ (参考データであり、製品の特性を保証するものではありません。)

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