チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRM2012C330KT801N
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寸法
長さ(L) |
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幅(W) |
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厚み | 高さ |
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端子幅(B) |
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推奨ランドパターン(PA) |
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推奨ランドパターン(PB) |
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推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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最大許容回路電圧 [DC] |
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静電容量 (Typ.) |
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最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV] |
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ESDクランプ電圧 [8kV] |
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エネルギー耐量 |
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その他
使用温度範囲 |
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はんだ付け方法 |
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AEC-Q200 (Environment) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
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AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
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AEC-Q200 ESD |
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包装形態 |
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梱包数 |
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重量 |
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製品情報
ドキュメント
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RoHS証明書
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SVHC/REACH証明書
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データシート
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積層セラミックチップコンデンサ
C3225X7S3D102K200AA
Capacitance=1nF
Edc=2000V
T.C.=X7S
LxWxT:3.2x2.5x2.0mm
High Volt. (1000V and over)

積層セラミックチップコンデンサ
CGA5H4C0G2J152J115AA
Capacitance=1.5nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x1.6x1.15mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

インダクタ(コイル)
MHQ1005P15NGTD25
L=15nH
Q=23
L x W x T :
1 x 0.6 x 0.5mm

フィルタ
DEA212450BT-7043C1
Pass Band=2400 to 2500MHz
Zc=50se | 55+j50bal

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M0603C120MTAAB
Maximum continuous voltage [DC]=7.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=23V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C080MTABB
Maximum continuous voltage [DC]=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=15V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C080MTACB
Maximum continuous voltage [DC]=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=19V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1005C180MTAAB
Maximum continuous voltage [DC]=11V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=30V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M1608C270KT6AB
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=42V

チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M2012C120MT6AB
Maximum continuous voltage [DC]=7.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=20V