チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRM2012C330KT801N
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み | 高さ |
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| 端子幅(B) |
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| 推奨ランドパターン(PA) |
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| 推奨ランドパターン(PB) |
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| 推奨ランドパターン(PC) |
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電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 静電容量 (Typ.) |
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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| ESDクランプ電圧 [2kV] |
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| ESDクランプ電圧 [8kV] |
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 (Environment) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
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| AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
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| AEC-Q200 ESD |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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製品情報
ドキュメント
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RoHS証明書
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SVHC/REACH証明書
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データシート
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[セレクションガイド] ESD保護デバイス セレクションガイド(車載グレード)Update
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G2A221J080AA
Capacitance=220pF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J4NP02W472J125AA
Capacitance=4.7nF
Edc=450V
T.C.=NP0
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L3X7T2E224K160AA
Capacitance=0.22μF
Edc=250V
T.C.=X7T
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層型リード付きコンデンサ
FK24X7R1H334KN000
Capacitance=0.33μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x5.5x2.5mm, Lead pitch:5mm
General
EMI抑制コンデンサ
B32921C3103K189
0.01uF, 305Vrms AC
4m(W) x 9m(H) x 13m(L)
ESD保護機能付きノッチフィルタ
AVRF041A150MT242
fn=2.4GHz
Vdc=10V,ESD=8kV 0.4mm x 0.2mm [EIA 01005]
ESD保護機能付きノッチフィルタ
AVRF060W650MT102
fn=1.0GHz
Vdc=5.5V,ESD=8kV 0.6mm x 0.3mm [EIA 0201]
ESD保護機能付きノッチフィルタ
AVRF060X100LT242
fn=2.4GHz
Vdc=7V,ESD=8kV 0.6mm x 0.3mm [EIA 0201]
CeraDiode®
B72570D0160H060
Max. working voltage=16V DC
Capacitance (Typ.)=3pF
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVR-M2012C220KT6AB
Maximum continuous voltage [DC]=16V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=38V