チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ

AVRM2012C330KT801N

用途
車載グレード車載グレード
用途詳細
SpeakerAudio_sp
特徴
≥15kV ESDESD 15kV以上
≥25kV ESDESD 25kV以上
AEC-Q200AEC-Q200
150°C150°C
シリーズ
AVR
ステータス
量産体制量産体制
ブランド
TDK
  • ESD/サージ保護デバイス,チップバリスタ,セラミック過渡電圧サプレッサ:2Term
  • ESD/サージ保護デバイス,チップバリスタ,セラミック過渡電圧サプレッサ:2Term

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3Dモデル

寸法

長さ(L)
2.00mm ±0.20mm
幅(W)
1.25mm ±0.20mm
厚み | 高さ
1.00mm ±0.20mm
端子幅(B)
0.20mm Min.
推奨ランドパターン(PA)
1.05mm ±0.15mm
推奨ランドパターン(PB)
0.80mm ±0.10mm
推奨ランドパターン(PC)
1.05mm ±0.15mm

電気的特性

バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA
33V
最大許容回路電圧 [DC]
24V
静電容量 (Typ.)  ?
800pF
最大クランプ電圧 [8/20μs]
59V
最大サージ電流 [8/20μs]
240A
ESDクランプ電圧 [2kV]  ?
40V<Vave≤60V
ESDクランプ電圧 [8kV]  ?
40V<Vave≤60V
エネルギー耐量
500mJ

その他

使用温度範囲
-55～150°C
はんだ付け方法
リフロー
AEC-Q200 (Environment)
YES
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1)
Pass on level IV (12V system) of ISO-7637-2:2011
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a)
Pass on level IV (12V system) of ISO-7637-2:2011
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b)
Pass on level IV (12V system) of ISO-7637-2:2011
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a)
Pass on level IV (12V system) of ISO-7637-2:2011
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b)
Pass on level IV (12V system) of ISO-7637-2:2011
AEC-Q200 ESD
6[ ≥25000V(AD)]
包装形態
エンボステーピング(180mm リール)
梱包数
2000pcs
重量
0.013g

ドキュメント

特性グラフ (参考データであり、製品の特性を保証するものではありません。)

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