チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRM2012C720KT201M
|
|
寸法
長さ(L) |
|
幅(W) |
|
厚み | 高さ |
|
端子幅(B) |
|
推奨ランドパターン(PA) |
|
推奨ランドパターン(PB) |
|
推奨ランドパターン(PC) |
|
電気的特性
バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
|
最大許容回路電圧 [DC] |
|
静電容量 (Typ.) |
|
最大クランプ電圧 [8/20μs] |
|
最大サージ電流 [8/20μs] |
|
ESDクランプ電圧 [2kV] |
|
ESDクランプ電圧 [8kV] |
|
エネルギー耐量 |
|
その他
使用温度範囲 |
|
はんだ付け方法 |
|
AEC-Q200 (Environment) |
|
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse1) |
|
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2a) |
|
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse2b) |
|
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3a) |
|
AEC-Q200 Electrical Transient Conduction (Pulse3b) |
|
AEC-Q200 ESD |
|
包装形態 |
|
梱包数 |
|
重量 |
|
製品情報
ドキュメント
-
RoHS証明書
-
SVHC/REACH証明書
-
[セレクションガイド] ESD保護デバイス セレクションガイド(車載グレード)Update
-
[アプリケーションノート] 繰り返しサージ耐量にすぐれたチップバリスタNew
-
[アプリケーションノート] 静電気対策における積層チップバリスタと積層チップコンデンサの比較Hot
-
[アプリケーションノート] ESD対策用チップバリスタの最適なアプリケーションについてNew
-
[アプリケーションノート] ESD/サージ保護デバイスの使い方:チップバリスタ
New -
[アプリケーションノート] D級アンプ用推奨製品(ノイズサプレッションフィルタ、LPF用インダクタ、チップバリスタ)New
-
[ソリューションガイド] チップバリスタによるスマートフォンのオーディオライン・ESD保護ソリューションガイドおすすめ
-
[ソリューションガイド] ノイズサプレッションフィルタとチップバリスタによるマイクロホンラインのTDMAノイズ対策、受信感度の改善、ESD(静電気放電)対策New
-
[プロダクトオーバービュー] 【Marvell社推奨】 車載Ethernet通信(100BASE-T1, 1000BASE-T1)向けチップバリスタ
おすすめコンテンツ
特性グラフ (参考データであり、製品の特性を保証するものではありません。)
読み込み中... この処理には時間がかかることがあります...
この製品を見た人はこれらの製品も見ています

積層セラミックチップコンデンサ
C3225NP02J333G250AA
Capacitance=33nF
Edc=630V
T.C.=NP0
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)

積層セラミックチップコンデンサ
C4532NP02J333J200KA
Capacitance=33nF
Edc=630V
T.C.=NP0
LxWxT:4.5x3.2x2mm
Mid Volt. (100 to 630V)

積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B3X7S2A472K050BB
Capacitance=4.7nF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:1x0.5x0.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X7S2A104K080AB
Capacitance=0.1μF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J2X7R2A104K125AA
Capacitance=0.1μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3X7S2A105K125AB
Capacitance=1μF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P4NP02J333G250AA
Capacitance=33nF
Edc=630V
T.C.=NP0
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P4NP02J333J250AA
Capacitance=33nF
Edc=630V
T.C.=NP0
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA8M4NP02J333J200KA
Capacitance=33nF
Edc=630V
T.C.=NP0
LxWxT:4.5x3.2x2mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGB2A1X6S1A105K033BC
Capacitance=1μF
Edc=10V
T.C.=X6S
LxWxT:1x0.5xmm
Low profile