チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72440P5040S560
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寸法
| L x W 寸法 |
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| 厚み | 高さ |
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| その他詳細 |
電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 最大許容回路電圧 [AC] |
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静電容量 (Typ.)
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV]
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ESDクランプ電圧 [8kV]
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 | |
| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
製品情報
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[セレクションガイド] ESD保護デバイス セレクションガイド(一般グレード)Update
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アプリケーションノート
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3rd Party ECAD models
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特性グラフ
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円板形リード付きコンデンサ(中高圧セラミックコンデンサ)
CK45-B3AD332KYGNA
Capacitance=3.3nF
Edc=1000Vdc
T.C.=B
DxT: 9.5x5mm ,F: 5mm
Halogen-free
インダクタ(コイル)
NLCV32T-1R5M-EF
L=1.5μH
DC Resistance=0.143Ω
L x W x T :
3.2 x 2.5 x 2.2mm
チップビーズ
MMZ1005S102HTD25
|Z|=1000Ω at 100MHz
Rated current=360mA
L x W x T :
1mm x 0.5mm x 0.5mm
CeraDiode®
B72590D0150H060 (High speed)
Max. working voltage=15V DC
Capacitance (Typ.)=10pF
CeraDiode®
B72590D0360B060
Max. working voltage=36V DC
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72500E0250K060
Maximum continuous voltage=31V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=67V
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B72500P8200S060
Maximum continuous voltage=24V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72500P8400S060
Maximum continuous voltage=48V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72500T0080L060
Maximum continuous voltage=11V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=33V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72500T7050S160 (High speed)
Maximum continuous voltage=5.5V
