チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72520T0040M062
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寸法
| L x W 寸法 |
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| 厚み | 高さ |
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| その他詳細 |
電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 最大許容回路電圧 [AC] |
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静電容量 (Typ.)
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV]
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ESDクランプ電圧 [8kV]
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 | |
| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
製品情報
ドキュメント
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安全上の注意
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品質と環境
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記号と用語
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[セレクションガイド] ESD保護デバイス セレクションガイド(一般グレード)Update
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セレクションガイド
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アプリケーションノート
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3rd Party ECAD models
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特性グラフ
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インダクタ(コイル)
CLF10040T-6R8N-D
L=6.8μH
Rated current=3.7A
L x W x T :
10 x 9.7 x 3.8mm
インダクタ(コイル)
VLF252015MT-R47N
L=0.47μH
Rated current=4.03A
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.5mm
インダクタ(コイル)
VLF252015MT-R68N
L=0.68μH
Rated current=3.38A
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.5mm
インダクタ(コイル)
VLS252012HBX-R68M-1
L=0.68μH
Rated current=4.25A
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.2mm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72510E9200S172
Maximum continuous voltage=26V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=64V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72510T0080L062
Maximum continuous voltage=11V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=33V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72520E0200K062
Maximum continuous voltage=26V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=54V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72520G1250K062
Maximum continuous voltage=31V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=65V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72520T0060M062
Maximum continuous voltage=8V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=25V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530E1200K062
Maximum continuous voltage=26V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=54V
