チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ

B72530G0250K062

用途
車載グレード車載グレード
用途詳細
機能
≥15kV ESDESD 15kV以上
AEC-Q200AEC-Q200
150°C150°C
シリーズ
Automotive G series
タイプ
CT1210K25G_G
ステータス
量産体制量産体制
ブランド
EPCOS
  • ESD/サージ保護デバイス,チップバリスタ,セラミック過渡電圧サプレッサ:2Term_EP
  • ESD/サージ保護デバイス,チップバリスタ,セラミック過渡電圧サプレッサ:mlv0031m
  • ESD/サージ保護デバイス,チップバリスタ,セラミック過渡電圧サプレッサ:mlv0034p
  • ESD/サージ保護デバイス,チップバリスタ,セラミック過渡電圧サプレッサ:mlv0006h

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3Dモデル

寸法

L x W 寸法
3.2mm x 2.5mm [EIA 1210]
厚み | 高さ
1.55mm Max.
その他詳細
データシートを参照してください

電気的特性

バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA
39V
最大許容回路電圧 [DC]
31V
最大許容回路電圧 [AC]
25Vrms
静電容量 (Typ.)  ?
2.2nF
最大クランプ電圧 [8/20μs]
65V
最大サージ電流 [8/20μs]
300A
ESDクランプ電圧 [2kV]  ?
53V
ESDクランプ電圧 [8kV]  ?
60V
エネルギー耐量
1.7J

その他

使用温度範囲
-55~150°C
はんだ付け方法
AEC-Q200
YES
包装形態

特性グラフ (参考データであり、製品の特性を保証するものではありません。)

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