チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530T0040M062
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寸法
| L x W 寸法 |
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| 厚み | 高さ |
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| その他詳細 |
電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 最大許容回路電圧 [AC] |
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静電容量 (Typ.)
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV]
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ESDクランプ電圧 [8kV]
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 | |
| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
製品情報
ドキュメント
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安全上の注意
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品質と環境
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記号と用語
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セレクションガイド
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アプリケーションノート
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特性グラフ
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インダクタ(コイル)
CLF10040T-6R8N-D
L=6.8μH
Rated current=3.7A
L x W x T :
10 x 9.7 x 3.8mm
インダクタ(コイル)
SPM7054VC-6R8M-D
L=6.8μH
Rated current=7.5A
L x W x T :
7.5 x 7.0 x 5.4mm
インダクタ(コイル)
VLF252015MT-R47N
L=0.47μH
Rated current=4.03A
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.5mm
インダクタ(コイル)
VLF252015MT-R68N
L=0.68μH
Rated current=3.38A
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.5mm
インダクタ(コイル)
VLP8040T-1R0N
L=1μH
Rated current=9.4A
L x W x T :
8.6 x 8.7 x 4mm
インダクタ(コイル)
VLS252012HBX-R47M-1
L=0.47μH
Rated current=5.2A
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.2mm
インダクタ(コイル)
VLS252012HBX-R68M-1
L=0.68μH
Rated current=4.25A
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.2mm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72520T0040M062
Maximum continuous voltage=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=17V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530E0300K062
Maximum continuous voltage=38V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=77V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530E0350K062
Maximum continuous voltage=45V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=90V
