チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530T0350K062 (Surge prot.)
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寸法
| L x W 寸法 |
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| 厚み | 高さ |
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| その他詳細 |
電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 最大許容回路電圧 [AC] |
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静電容量 (Typ.)
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV]
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ESDクランプ電圧 [8kV]
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 | |
| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
製品情報
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品質と環境
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アプリケーションノート
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特性グラフ
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EMI抑制コンデンサ
B32912A5104M003
0.1uF, 530Vrms AC
11m(W) x 18.5m(H) x 18m(L)
インダクタ(コイル)
SLF12575T-100M5R4-PF
L=10μH
Rated current=5.4A
L x W x T :
12.5 x 12.5 x 7.5mm
インダクタ(コイル)
SPM10054T-100M-HZR
L=10μH
Rated current=6.3A
L x W x T :
10.7 x 10.0 x 5.4mm
チップビーズ
MMZ1005Y301CT000
|Z|=300Ω at 100MHz
Rated current=250mA
L x W x T :
1mm x 0.5mm x 0.5mm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72520G1250K062
Maximum continuous voltage=31V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=65V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72520T0040M062
Maximum continuous voltage=5.5V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=17V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530E0140K062
Maximum continuous voltage=18V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=38V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530E1170K062
Maximum continuous voltage=22V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=44V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530T0300K062 (Standard)
Maximum continuous voltage=38V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=77V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530T0300K062 (Surge prot.)
Maximum continuous voltage=38V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=77V
