チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530T6250K062
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寸法
| L x W 寸法 |
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| 厚み | 高さ |
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| その他詳細 |
電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 最大許容回路電圧 [AC] |
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静電容量 (Typ.)
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV]
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ESDクランプ電圧 [8kV]
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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製品情報
ドキュメント
技術支援ツール
3rd Party ECAD models
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特性グラフ
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Maximum continuous voltage=31V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=65V
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Maximum continuous voltage=18V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=38V
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B72530T6170K062
Maximum continuous voltage=24V
Maximum Clamping Voltage (@ 10 A)=47V
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B72530T6400K062
Maximum continuous voltage=58V
Maximum Clamping Voltage (@ 10 A)=110V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530U1450K062
Maximum continuous voltage=59V
Maximum Clamping Voltage (@ 10 A)=110V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72530U1600K062
Maximum continuous voltage=85V
Maximum Clamping Voltage (@ 100 A)=180V
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Maximum continuous voltage=45V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=90V
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Maximum continuous voltage=56V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=110V
