チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72580T0040M062
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寸法
| L x W 寸法 |
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| 厚み | 高さ |
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| その他詳細 |
電気的特性
| バリスタ電圧 (Nom.) @ 1mA |
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| 最大許容回路電圧 [DC] |
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| 最大許容回路電圧 [AC] |
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静電容量 (Typ.)
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| 最大クランプ電圧 [8/20μs] |
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| 最大サージ電流 [8/20μs] |
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ESDクランプ電圧 [2kV]
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ESDクランプ電圧 [8kV]
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| エネルギー耐量 |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| はんだ付け方法 | |
| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
製品情報
ドキュメント
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一般技術情報
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安全上の注意
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品質と環境
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記号と用語
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[セレクションガイド] ESD保護デバイス セレクションガイド(一般グレード)Update
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セレクションガイド
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セレクション手順
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アプリケーションノート
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[アプリケーションノート] ESD対策用チップバリスタの最適なアプリケーションについてNew
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[アプリケーションノート] ESD/サージ保護デバイスの使い方：チップバリスタ
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[アプリケーションノート] Ｄ級アンプ用推奨製品(ノイズサプレッションフィルタ、LPF用インダクタ、チップバリスタ)New
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[ソリューションガイド] ノイズサプレッションフィルタとチップバリスタによるマイクロホンラインのTDMAノイズ対策、受信感度の改善、ESD(静電気放電)対策New
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G3A223J250AC
Capacitance=22nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
DCリンク用コンデンサ
B32716H8685K000
6.8uF, 800 V DC
24.0mm(W) x 15.0mm(H) x 42.0mm(L)
インダクタ(コイル)
CLF10040T-6R8N-D
L=6.8μH
Rated current=3.7A
L x W x T :
10 x 9.7 x 3.8mm
インダクタ(コイル)
SPM7054VC-6R8M-D
L=6.8μH
Rated current=7.5A
L x W x T :
7.5 x 7.0 x 5.4mm
インダクタ(コイル)
VLF252015MT-R47N
L=0.47μH
Rated current=4.03A
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.5mm
インダクタ(コイル)
VLF252015MT-R68N
L=0.68μH
Rated current=3.38A
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.5mm
インダクタ(コイル)
VLS252012HBX-R47M-1
L=0.47μH
Rated current=5.2A
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.2mm
インダクタ(コイル)
VLS252012HBX-R68M-1
L=0.68μH
Rated current=4.25A
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.2mm
ノイズサプレッションフィルタ
MHF1608BAC182ATD25
|Z|=1800Ω at 10MHz
Rated current=250mA
L x W x T :
1.6mmx0.8mmx0.8mm
CeraDiode®
B72570D0120A060
Max. working voltage=12V DC
Capacitance (Typ.)=82pF
