IGBT/FET用トランス
VGT10SEE-200S2A5
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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電気的特性
| 巻数比 |
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| 出力数 |
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| インダクタンス |
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| 漏れインダクタンス [Max.] |
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| 耐電圧 [1次-2次] |
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| 耐電圧 [コイル-コア] |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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積層セラミックチップコンデンサ
C3216CH2J471J085AA
Capacitance=470pF
Edc=630V
T.C.=CH
LxWxT:3.2x1.6x0.85mm
Mid Volt. (100 to 630V)
インダクタ(コイル)
MHQ1005PR22GTD25
L=220nH
Q=18
L x W x T :
1 x 0.6 x 0.5mm
インダクタ(コイル)
MHQ1005PR33GTD25
L=330nH
Q=13
L x W x T :
1 x 0.6 x 0.5mm
インダクタ(コイル)
MLF1005G1R0JTD25
L=1μH
Rated current=40mA
L x W x T :
1 x 0.5 x 0.5mm
インダクタ(コイル)
SLF10145T-221MR65-H
L=220μH
Rated current=0.65A
L x W x T :
10.1 x 10.1 x 4.5mm
インダクタ(コイル)
TFM201610ALVA2R2MTAA
L=2.2μH
Rated current=1.9A
L x W x T :
2 x 1.6 x 1mm
IGBT/FET用トランス
VGT12EEM-200S1A4
Flyback transformer (Distributed), 1 output
10μH, TR=1:1.6:2.9
IGBT/FET用トランス
VGT15EFD-200S3A6
Flyback transformer (Centralized), 3 outputs
8μH, TR=1:2.8:2.8:2.8:2.8
IGBT/FET用トランス
VGT15SEFD-200S1A4
Flyback transformer (Distributed), 1 output
10μH, TR=1:1.8:3.3
IGBT/FET用トランス
VGT15SEFD-250S4A7
Flyback transformer (Centralized), 4 outputs
2.6μH, TR=1:3:3:3:3:3
