IGBT/FET用トランス

VGT12EEM-200S1A4

用途
車載
機能
フライバックトランス(分散型)
シリーズ
VGT
ステータス
量産体制量産体制
ブランド
TDK
  • トランス,IGBT-FET:VGT12EEM-200S1A4
  • トランス,IGBT-FET:VGT12EEM-200S1A4
  • トランス,IGBT-FET:VGT12EEM-200S1A4
  • トランス,IGBT-FET:VGT12EEM-200S1A4

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寸法

長さ(L)
13.60mm ±0.30mm
幅(W)
14.80mm ±0.50mm
厚み(T)
10.00mm Max.

電気的特性

巻数比
1:1.6:2.9
出力数
1
インダクタンス
10μH ±20%
漏れインダクタンス [Max.]
200nH
耐電圧 [1次-2次]
2.6kVrms 1min. or 3.2kVrms 1sec.
耐電圧 [コイル-コア]
1.3kVrms 1min. or 1.6kVrms 1sec.

その他

使用温度範囲
-40~130°C
AEC-Q200
YES
包装形態
エンボステーピング(330mm リール、テープ幅32mm)
梱包数
250pcs
重量
1.9g

ドキュメント