IGBT/FET用トランス
VGT15EFD-200S3A6
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寸法
長さ(L) |
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幅(W) |
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厚み(T) |
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電気的特性
巻数比 |
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出力数 |
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インダクタンス |
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漏れインダクタンス [Max.] |
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耐電圧 [1次-2次] |
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耐電圧 [コイル-コア] |
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その他
使用温度範囲 |
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AEC-Q200 |
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包装形態 |
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梱包数 |
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重量 |
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L1X7R1E685M160AC
Capacitance=6.8μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
AEC-Q200

積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P3X7R1E685K250AB
Capacitance=6.8μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
General
AEC-Q200

積層型リード付きコンデンサ
FA22X7R1E106KNU00
Capacitance=10μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:7.5x8.5x4.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General

積層型リード付きコンデンサ
FA22X7R1H475KRU06
Capacitance=4.7μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:7.5x8.5x4.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General

DCリンク用コンデンサ
B32776G0126K000
12uF, 1100V DC
20mm(W) x 39.5mm(H) x 41.5mm(L)

インダクタ(コイル)
MHQ0603P3N3BTD25
L=3.3nH
Q=16
L x W x T :
0.65 x 0.35 x 0.35mm

インダクタ(コイル)
VLS4020CX-220M-H
L=22μH
Rated current=1.04A
L x W x T :
4 x 4 x 2.0mm

リード付きディスクバリスタ
B72210S2421K101
Max. Operating Voltage [AC]=420Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=3500A

突入電流防止PTCサーミスタ
B59752C0120A070 (C752_ICL)
Max. operating voltage=280V AC
Rated resistance=80Ω

IGBT/FET用トランス
VGT10SEE-200S2A5
Flyback transformer (Distributed), 2 outputs
20μH, TR=1:1:1:1