IGBT/FET用トランス
VGT15SEFD-200S1A4
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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電気的特性
| 巻数比 |
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| 出力数 |
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| インダクタンス |
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| 漏れインダクタンス [Max.] |
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| 耐電圧 [1次-2次] |
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| 耐電圧 [コイル-コア] |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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円板形リード付きコンデンサ(中高圧セラミックコンデンサ)
CK45-B3DD472KYNNA
Capacitance=4.7nF
Edc=2000Vdc
T.C.=B
DxT: 14x5mm ,F: 7.5mm
Halogen-free
積層型リード付きコンデンサ
FA20X7R1H105KNU00
Capacitance=1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:5.5x7x4mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
積層型リード付きコンデンサ
FA20X7S1H106KRU00
Capacitance=10μF
Edc=50V
T.C.=X7S
LxWxT:5.5x7x4mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
積層型リード付きコンデンサ
FA22X7R1E106KNU00
Capacitance=10μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:7.5x8.5x4.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
積層型リード付きコンデンサ
FA22X7R1H475KRU06
Capacitance=4.7μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:7.5x8.5x4.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
積層型リード付きコンデンサ
FA23X7R1H106KRU00
Capacitance=10μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:8.5x11x5.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
積層型リード付きコンデンサ
FA23X7R1H106KRU06
Capacitance=10μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:8.5x11x5.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
IGBT/FET用トランス
VGT10SEE-200S2A5
Flyback transformer (Distributed), 2 outputs
20μH, TR=1:1:1:1
IGBT/FET用トランス
VGT12EEM-200S1A4
Flyback transformer (Distributed), 1 output
10μH, TR=1:1.6:2.9
IGBT/FET用トランス
VGT15EFD-200S3A6
Flyback transformer (Centralized), 3 outputs
8μH, TR=1:2.8:2.8:2.8:2.8
