IGBT/FET用トランス
VGT15SEFD-200S1A4
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寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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電気的特性
| 巻数比 |
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| 出力数 |
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| インダクタンス |
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| 漏れインダクタンス [Max.] |
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| 耐電圧 [1次-2次] |
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| 耐電圧 [コイル-コア] |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L1X7R1E106M160AE
Capacitance=10μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Soft termination
AEC-Q200
DCリンク用コンデンサ
B32718H8117K000
110.0uF, 800V DC
45.0mm(W) x 65.0mm(H) x 57.5mm(L)
DCリンク用コンデンサ
B32718H8506K000
50.0uF, 800V DC
30.0mm(W) x 45.0mm(H) x 57.5mm(L)
インダクタ(コイル)
VLS5045EX-220M-H
L=22μH
Rated current=1.8A
L x W x T :
5 x 5 x 4.5mm
IGBT/FET用トランス
VGT10SEE-200S2A5
Flyback transformer (Distributed), 2 outputs
20μH, TR=1:1:1:1
IGBT/FET用トランス
VGT12EEM-200S1A4
Flyback transformer (Distributed), 1 output
10μH, TR=1:1.6:2.9
IGBT/FET用トランス
VGT15EFD-200S3A6
Flyback transformer (Centralized), 3 outputs
8μH, TR=1:2.8:2.8:2.8:2.8
IGBT/FET用トランス
VGT15SEFD-250S4A7
Flyback transformer (Centralized), 4 outputs
2.6μH, TR=1:3:3:3:3:3
IGBT/FET用トランス
VGT22EPC-200S6A12
Flyback transformer (Centralized), 6 outputs
2.5μH, TR=1:1.2:0.7:1.2:0.7:1.2:0.7:1.2:0.7
BMS用トランス
VGT10/9EE-204S2P4
Tightly Coupled
140 to 333μH, TR=1:1:1:1
