IGBT/FET用トランス
VGT22EPC-200S6A12
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製品画像は代表的な製品を表示しています。 |
量産体制
寸法
| 長さ(L) |
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| 幅(W) |
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| 厚み(T) |
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電気的特性
| 巻数比 |
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| 出力数 |
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| インダクタンス |
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| 漏れインダクタンス [Max.] |
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| 耐電圧 [1次-2次] |
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| 耐電圧 [コイル-コア] |
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その他
| 使用温度範囲 |
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| AEC-Q200 |
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| 包装形態 |
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| 梱包数 |
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| 重量 |
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ドキュメント
カタログ この製品を見た人は下記の製品も見ています
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CGA5L2X7R2A474M160AE
積層セラミックチップコンデンサ
Capacitance=0.47μF
Edc=100V
T.C.=X7RLxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Soft termination
AEC-Q200 -
CKG57KX7T2E225K335JJ
積層セラミックチップコンデンサ
Capacitance=2.2μF
Edc=250V
T.C.=X7TLxWxT:6x5x3.35mm
MEGACAP type
AEC-Q200 -
FA14NP01H223JNU00
積層型リード付きコンデンサ
Capacitance=22nF
Edc=50V
T.C.=NP0LxWxT:4.5x5.5x3mm, Lead pitch:2.5mm
AEC-Q200
High Temp. Application (up to 150ºC) -
FA18NP02A331JNU00
積層型リード付きコンデンサ
Capacitance=330pF
Edc=100V
T.C.=NP0LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:2.5mm
AEC-Q200
High Temp. Application (up to 150ºC) -
FA26NP02J103JNU06
積層型リード付きコンデンサ
Capacitance=10nF
Edc=630V
T.C.=NP0LxWxT:5.5x6x3.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
High Temp. Application (up to 150ºC) -
FA28X8R2A103KNU06
積層型リード付きコンデンサ
Capacitance=10nF
Edc=100V
T.C.=X8RLxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
High Temp. Application (up to 150ºC) -
B32654A1224K000
金属化ポリプロピレン(MKP/MFP)
0.22uF, 1600V DC
21mm(W) x 31mm(H) x 31.5mm(L)
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B32922C3684K003
EMI抑制コンデンサ
0.68uF, 305Vrms AC
11m(W) x 18.5m(H) x 18m(L)
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VLS3010ET-100M-CA
インダクタ(コイル)
L=10μH
Rated current=0.8AL x W x T :
3 x 3 x 1mm -
VGT10SEE-200S2A5
IGBT/FET用トランス
Flyback transformer (Distributed), 2 outputs
20μH, TR=1:1:1:1