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Mai. 2023
Die TDK Corporation präsentiert neue Serien an extrem kompakten TVS-Dioden, die mit ihren Parametern auf die verschiedenen Ports des USB-C-Ports wie auch anderer Highspeed-Schnittstellen abgestimmt sind. Speziell für die Hochgeschwindigkeits-Ports (Tx / Rx) von USB-C, die bei USB4 Version 1 mit bis zu 40 Gbit/s betrieben werden, sind TVS-Dioden mit sehr geringen parasitären Kapazitätswerten und niedriger Klemmspannung erforderlich. Hierfür eignen sich die Typen B74111U0033M060 und B74121U0033M060 mit sehr geringen Kapazitätswerten von 0,48 pF beziehungsweise 0,65 pF bei 1 MHz, wodurch die Signalintegrität nicht beeinträchtigt wird. Die Klemmspannungen betragen nur 3,8 V oder 3,9 V bei einem ITLP von 8 A. Ausgelegt sind die Schutzbauelemente für ESD-Entladespannungen von bis zu 15 kV. Diese TVS-Dioden werden in den extrem kompakten Gehäuseformen WLCSP 01005 und WLCSP 0201 gefertigt und sind mit Bauhöhen von 100 µm bzw. 150 µm äußerst flach. Damit können die TVS-Dioden auch in USB-C-SIP-Module integriert werden.
Die TDK Corporation präsentiert neue Serien an extrem kompakten TVS-Dioden, die mit ihren Parametern auf die verschiedenen Ports des USB-C-Ports wie auch anderer Highspeed-Schnittstellen abgestimmt sind. Speziell für die Hochgeschwindigkeits-Ports (Tx / Rx) von USB-C, die bei USB4 Version 1 mit bis zu 40 Gbit/s betrieben werden, sind TVS-Dioden mit sehr geringen parasitären Kapazitätswerten und niedriger Klemmspannung erforderlich. Hierfür eignen sich die Typen B74111U0033M060 und B74121U0033M060 mit sehr geringen Kapazitätswerten von 0,48 pF beziehungsweise 0,65 pF bei 1 MHz, wodurch die Signalintegrität nicht beeinträchtigt wird. Die Klemmspannungen betragen nur 3,8 V oder 3,9 V bei einem ITLP von 8 A. Ausgelegt sind die Schutzbauelemente für ESD-Entladespannungen von bis zu 15 kV. Diese TVS-Dioden werden in den extrem kompakten Gehäuseformen WLCSP 01005 und WLCSP 0201 gefertigt und sind mit Bauhöhen von 100 µm bzw. 150 µm äußerst flach. Damit können die TVS-Dioden auch in USB-C-SIP-Module integriert werden.