円板形リード付きコンデンサ(中高圧セラミックコンデンサ)
CK45-B3DD332KYVNA
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寸法
直径(D)
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| 厚み(T) |
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| リード線間隔(F) |
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| リード線直径(d) |
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電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 |
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| 耐電圧 |
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温度特性
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| 誘電正接 (Max.) |
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| 絶縁抵抗 (Min.) |
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その他
| はんだ付け方法 |
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| リード線長さ/パッケージタイプ |
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| AEC-Q200 |
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| 梱包数 |
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製品情報
ドキュメント
技術支援ツール
3rd Party ECAD models
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特性グラフ
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積層セラミックチップコンデンサ
C1005C0G1H100D050BA
Capacitance=10pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1x0.5x0.5mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G3A152J200AE
Capacitance=1.5nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
Soft termination
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A272J200AC
Capacitance=2.7nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3B102J200AC
Capacitance=1nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3B152J200AC
Capacitance=1.5nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3B182J200AC
Capacitance=1.8nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3B272J200AC
Capacitance=2.7nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
円板形リード付きコンデンサ(中高圧セラミックコンデンサ)
CK45-B3FD102KYVNA
Capacitance=1nF
Edc=3000Vdc
T.C.=B
DxT: 9x6mm ,F: 7.5mm
Halogen-free
円板形リード付きコンデンサ(中高圧セラミックコンデンサ)
CK45-E3DD472ZYNNA
Capacitance=4.7nF
Edc=2000Vdc
T.C.=E
DxT: 10.5x5mm ,F: 5mm
Halogen-free
インダクタ(コイル)
ADL2012-2R2M-T01
L=2.2μH
Rated current=300mA
L x W x T :
2.2 x 1.25 x 1.65mm
