DCリンク用コンデンサ
B32724A8905K000
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| 直径(d) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 定格電圧 [DC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| 工法 |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
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積層セラミックチップコンデンサ
C3216X5R1E106K085AC
Capacitance=10μF
Edc=25V
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LxWxT:3.2x1.6x0.85mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C3216X5R1E106K160AB
Capacitance=10μF
Edc=25V
T.C.=X5R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
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Edc=50V
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LxWxT:1x0.5x0.5mm
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Edc=50V
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High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X8R1H223K080AA
Capacitance=22nF
Edc=50V
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LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
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CGA3E3C0G2E222J080AA
Capacitance=2.2nF
Edc=250V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9N4X7R2J224K230KA
Capacitance=0.22μF
Edc=630V
T.C.=X7R
LxWxT:5.7x5x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
EMI抑制コンデンサ
B32924M3185M000
1.8uF, 305Vrms AC
11.0m(W) x 19.0m(H) x 31.5m(L)
スナバ, 共振回路及び力率改善(PFC)用コンデンサ
B32672P4105K189
1uF, 450V DC
7mm(W) x 12.5mm(H) x 18mm(L)
スナバ, 共振回路及び力率改善(PFC)用コンデンサ
B32672Z5105K000
1uF, 520V DC
11mm(W) x 18.5mm(H) x 18mm(L)
