EMI抑制コンデンサ
B32021H3332K000
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| ノイズ制御クラス |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 備考 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
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積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G3A183G250AC
Capacitance=18nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G3A272G200AC
Capacitance=2.7nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G3B223G250AC
Capacitance=22nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2X7R1H152K050BA
Capacitance=1.5nF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1x0.5x0.5mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5H2X8R2A104K115AA
Capacitance=0.1μF
Edc=100V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x1.6x1.15mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A332G200AC
Capacitance=3.3nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9Q1C0G3A153G280KC
Capacitance=15nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:5.7x5x2.8mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
EMI抑制コンデンサ
B32021H3332K003
0.0033 µF, 300 V rms AC
4.0m(W) x 9.0m(H) x 13.0m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32921C3473M000
0.047uF, 305Vrms AC
5m(W) x 11m(H) x 13m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32924C3155K000
1.5uF, 305Vrms AC
12.5m(W) x 21.5m(H) x 31.5m(L)
