EMI抑制コンデンサ
B32022H3683M189
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| ノイズ制御クラス |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 備考 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E1X7T0J106M080AC
Capacitance=10μF
Edc=6.3V
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LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2C0G2A101J080AA
Capacitance=100pF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3C0G2E101J080AA
Capacitance=100pF
Edc=250V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J2X7R2A473K125AA
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Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M3X7S2A335K200AE
Capacitance=3.3μF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:3.2x2.5x2mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M3X8R2A474K200AB
Capacitance=0.47μF
Edc=100V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層型リード付きコンデンサ
FA28C0G1H221JNU06
Capacitance=220pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
積層型リード付きコンデンサ
FA28C0G1H471JNU06
Capacitance=470pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:4x5.5x2.5mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
EMI抑制コンデンサ
B32021A3102K000
0.001uF, 300Vrms AC
4m(W) x 9m(H) x 13m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32021H3102K000
0.0010 µF, 300 V rms AC
4.0m(W) x 9.0m(H) x 13.0m(L)
