EMI抑制コンデンサ
B32026B3105M000
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| ノイズ制御クラス |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 備考 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
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積層セラミックチップコンデンサ
C3216X7S3A102K085AA
Capacitance=1nF
Edc=1000V
T.C.=X7S
LxWxT:3.2x1.6x0.85mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA1A2C0G1H050C030BA
Capacitance=5pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:0.6x0.3x0.3mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R1H472M080AE
Capacitance=4.7nF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3EANP02A332J080AC
Capacitance=3.3nF
Edc=100V
T.C.=NP0
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
ESD Protection
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3X5R1V225M125AB
Capacitance=2.2μF
Edc=35V
T.C.=X5R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3X7S2A334M125AB
Capacitance=0.33μF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
EMI抑制コンデンサ
B32922C3104K289
0.1uF, 305Vrms AC
5m(W) x 10.5m(H) x 18m(L)
DCリンク用コンデンサ
B32714H1205J000
2.0uF, 1100 V DC
13.5mm(W) x 23.0mm(H) x 31.5mm(L)
DCリンク用コンデンサ
B32774M5106K000
10uF, 500V DC
19mm(W) x 30mm(H) x 31.5mm(L)
リード付きディスクバリスタ
B72210P2351K101
Max. Operating Voltage [AC]=350Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=3500A
