EMI抑制コンデンサ
B32912B5103K000
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| ノイズ制御クラス |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 備考 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
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積層セラミックチップコンデンサ
C2012X5R0J226M085AB
Capacitance=22μF
Edc=6.3V
T.C.=X5R
LxWxT:2x1.25x0.85mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C2012X5R0J226M125AC
Capacitance=22μF
Edc=6.3V
T.C.=X5R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
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C2012X7R1H104K085AA
Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x0.85mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C3225X7R1H335M250AB
Capacitance=3.3μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X7R1H105K080AB
Capacitance=1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L3X8R1C475K160AB
Capacitance=4.7μF
Edc=16V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
High Temp. (Up to 150ºC)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGB3B1X5R1A475K055AC
Capacitance=4.7μF
Edc=10V
T.C.=X5R
LxWxT:1.6x0.8xmm
Low profile
積層セラミックチップコンデンサ
CKG57NX7S2A226M500JJ
Capacitance=22μF
Edc=100V
T.C.=X7S
LxWxT:6x5x5mm
MEGACAP type
AEC-Q200
EMI抑制コンデンサ
B32913B5224M000
0.22uF, 530Vrms AC
10.5m(W) x 18.5m(H) x 26.5m(L)
インダクタ(コイル)
MLF1005GR82JTD25
L=0.82μH
Rated current=40mA
L x W x T :
1 x 0.5 x 0.5mm
