EMI抑制コンデンサ
B32912H4104M000
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| ノイズ制御クラス |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 備考 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
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積層セラミックチップコンデンサ
C2012C0G2A333J125AC
Capacitance=33nF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
C2012C0G2E103J125AA
Capacitance=10nF
Edc=250V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
C2012X6S1C226M125AC
Capacitance=22μF
Edc=16V
T.C.=X6S
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C2012X7R2E103K125AA
Capacitance=10nF
Edc=250V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
C3216X7R2J102K115AA
Capacitance=1nF
Edc=630V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.15mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
C5750C0G3A333J280KC
Capacitance=33nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:5.7x5x2.8mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1C0G3B103G250AC
Capacitance=10nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1X7S1N106K250AE
Capacitance=10μF
Edc=75V
T.C.=X7S
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
Soft termination
AEC-Q200
積層型リード付きコンデンサ
FA24X7R1H334KNU06
Capacitance=0.33μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:4.5x5.5x3mm, Lead pitch:5mm
AEC-Q200
General
EMI抑制コンデンサ
B32023H3104M000
0.1 µF, 300 V rms AC
8.5m(W) x 16.5m(H) x 26.5m(L)
