EMI抑制コンデンサ
B32913H4104K000
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| ノイズ制御クラス |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 備考 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
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積層セラミックチップコンデンサ
C0603X7S1A104K030BC
Capacitance=0.1μF
Edc=10V
T.C.=X7S
LxWxT:0.6x0.3x0.3mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C0603X7S1C104K030BB
Capacitance=100nF
Edc=16V
T.C.=X7S
LxWxT:0.6x0.3x0.3mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C3225C0G2J223G230AA
Capacitance=22nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
C3225NP02J223G230AA
Capacitance=22nF
Edc=630V
T.C.=NP0
LxWxT:3.2x2.5x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
CAA573C0G2J304J640LH
Capacitance=0.3μF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:6.0x8.4x6.4mm
MEGACAP type
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A472J200AC
Capacitance=4.7nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3A682J200AC
Capacitance=6.8nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA9N4X7R2J224K230KA
Capacitance=0.22μF
Edc=630V
T.C.=X7R
LxWxT:5.7x5x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
EMI抑制コンデンサ
B81123C1222M000
0.0022uF, 500Vrms AC
7m(W) x 12.5m(H) x 18m(L)
インダクタ(コイル)
MLD2016S4R7MTD25
L=4.7μH
Rated current=750mA
L x W x T :
2.0 x 1.6 x 1.0mm
