EMI抑制コンデンサ
B32913H4334M000
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| ノイズ制御クラス |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 備考 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
製品情報
ドキュメント
技術支援ツール
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積層セラミックチップコンデンサ
C2012X5R1C106K085AC
Capacitance=10μF
Edc=16V
T.C.=X5R
LxWxT:2x1.25x0.85mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C2012X7R1C105K125AA
Capacitance=1μF
Edc=16V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C2012X7R2A103K085AA
Capacitance=10nF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x0.85mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
C2012X7R2E103K125AA
Capacitance=10nF
Edc=250V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4J3X7R2E103K125AA
Capacitance=10nF
Edc=250V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
DCリンク用コンデンサ
B32714H2105K000
1.0uF, 1200 V DC
11.0mm(W) x 21.0mm(H) x 31.5mm(L)
インダクタ(コイル)
CLF12577NIT-101M-D
L=100μH
Rated current=2.1A
L x W x T :
12.8 x 12.5 x 7.7mm
インダクタ(コイル)
TFM252012ALMAR68MTAA
L=0.68μH
Rated current=4.1A
L x W x T :
2.5 x 2.0 x 1.2mm
チップビーズ
MMZ0402S121CT000
|Z|=120Ω at 100MHz
Rated current=210mA
L x W x T :
0.4mm x 0.2mm x 0.2mm
チップビーズ
MMZ0603S800CT000
|Z|=80Ω at 100MHz
Rated current=200mA
L x W x T :
0.6mm x 0.3mm x 0.3mm
