EMI抑制コンデンサ
B32921C3683K000
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| ノイズ制御クラス |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 備考 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2NP01H050C050BA
Capacitance=5pF
Edc=50V
T.C.=NP0
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High Temp. (Up to 150ºC)
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CGA4J3X7R1H225K125AB
Capacitance=2.2μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
AEC-Q200
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Capacitance=10μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3B102J200AC
Capacitance=1nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6M1C0G3B152J200AC
Capacitance=1.5nF
Edc=1250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2mm
High Volt. (1000V and over)
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1C0G3A223J250AC
Capacitance=22nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
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B43512A5108M087
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