EMI抑制コンデンサ
B32922N3334K000
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| ノイズ制御クラス |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 備考 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
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積層セラミックチップコンデンサ
C1608JB1A475K080AB
Capacitance=4.7μF
Edc=10V
T.C.=JB
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C1608X5R1C475K080AC
Capacitance=4.7μF
Edc=16V
T.C.=X5R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C1608X7S1A475K080AC
Capacitance=4.7μF
Edc=10V
T.C.=X7S
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C3216X5R0J107M160AB
Capacitance=100μF
Edc=6.3V
T.C.=X5R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E2X7R1E104K080AA
Capacitance=0.1μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
EMI抑制コンデンサ
B32922H3334K000
0.33uF, 305Vrms AC
9m(W) x 17.5m(H) x 18m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32922N3334M003
0.33uF, 305Vrms AC
8m(W) x 14m(H) x 18m(L)
インダクタ(コイル)
CLF10060NIT-470M-D
L=47μH
Rated current=2A
L x W x T :
10.1 x 10 x 6.0mm
インダクタ(コイル)
VLS5045EX-101M
L=100μH
Rated current=0.8A
L x W x T :
5 x 5 x 4.5mm
チップビーズ
MMZ1608A222BTD25
|Z|=2200Ω at 100MHz
Rated current=200mA
L x W x T :
1.6mm x 0.8mm x 0.8mm
