EMI抑制コンデンサ
B32922X2104K000
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| ノイズ制御クラス |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 備考 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
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積層セラミックチップコンデンサ
C2012X7R1E474K125AA
Capacitance=0.47μF
Edc=25V
T.C.=X7R
LxWxT:2x1.25x1.25mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C3216X8R1E475K160AE
Capacitance=4.7μF
Edc=25V
T.C.=X8R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Soft termination
積層セラミックチップコンデンサ
C3225X7R1H105K160AA
Capacitance=1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x2.5x1.6mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2C0G1H681J050BD
Capacitance=680pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1x0.5x0.5mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X8R1C474K080AE
Capacitance=0.47μF
Edc=16V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Soft termination
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E3X8R1H104M080AD
Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X8R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Conductive Epoxy
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3EAC0G2A472J080AC
Capacitance=4.7nF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
ESD Protection
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA4C4NP02W471J060AA
Capacitance=470pF
Edc=450V
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AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5H4C0G2J222G115AA
Capacitance=2.2nF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x1.6x1.15mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6L1X7T2J104M160AE
Capacitance=0.1μF
Edc=630V
T.C.=X7T
LxWxT:3.2x2.5x1.6mm
Soft termination
AEC-Q200
