EMI抑制コンデンサ
B32923M3185M003
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| ノイズ制御クラス |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 備考 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B1X7S1C334K050BC
Capacitance=0.33μF
Edc=16V
T.C.=X7S
LxWxT:1x0.5x0.5mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3E1C0G2A103J080AC
Capacitance=10nF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA3EDX7T1A106M080AU
Capacitance=10μF
Edc=10V
T.C.=X7T
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA5L3X7R2E104K160AA
Capacitance=0.1μF
Edc=250V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CNA6P1C0G3A103G250AE
Capacitance=10nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
Soft termination
AEC-Q200
EMI抑制コンデンサ
B32923M3105M003
1uF, 305Vrms AC
10.5m(W) x 16.5m(H) x 26.5m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32923M3185M000
1.8uF, 305Vrms AC
12.0m(W) x 22.0m(H) x 26.5m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32923M3225M000
2.2uF, 305Vrms AC
12.0m(W) x 29.0m(H) x 26.5m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32923P3225K003
2.2uF, 350Vrms AC
14.5m(W) x 29.5m(H) x 26.5m(L)
インダクタ(コイル)
SLF12575T-100M5R4-H
L=10μH
Rated current=5.4A
L x W x T :
12.5 x 12.5 x 7.5mm
