EMI抑制コンデンサ
B32924P3225M000
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| ノイズ制御クラス |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 備考 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
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積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B3X7R1H104K050BB
Capacitance=0.1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1x0.5x0.5mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1C0G3A183J250AC
Capacitance=18nF
Edc=1000V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
High Volt. (1000V and over)
AEC-Q200
EMI抑制コンデンサ
B32032A4472K000
0.0047uF, 350Vrms AC
5m(W) x 10.5m(H) x 18m(L)
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B32922P3224K000
0.22uF, 350Vrms AC
7m(W) x 12.5m(H) x 18m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32923P3105K000
1.0uF, 350Vrms AC
11m(W) x 20.5m(H) x 26.5m(L)
EMI抑制コンデンサ
B32923P3225K000
2.2uF, 350Vrms AC
14.5m(W) x 29.5m(H) x 26.5m(L)
DCリンク用コンデンサ
B25654A8107K001
100µF, 850V DC
85mm (L) x 47(+2,5)mm (W) x 40.5mm (H)
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRH10C221KT1R5YA8
Maximum continuous voltage [DC]=70V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=400V
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
B72510E0200K062
Maximum continuous voltage=26V
Maximum Clamping Voltage (8/20μs)=56V
チップNTCサーミスタ(センサ)
NTCG163JF103FT1H
Resistance (at 25°C)=10kΩ
Resistance Tolerance (at 25°C)=±1%
