EMI抑制コンデンサ
B32924P3335M000
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| ノイズ制御クラス |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 備考 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
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積層セラミックチップコンデンサ
C1608X7R1H105K080AB
Capacitance=1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:1.6x0.8x0.8mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C3225X7R1C226M250AC
Capacitance=22μF
Edc=16V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6N3C0G2E333J230AA
Capacitance=33nF
Edc=250V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x2.5x2.3mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA6P1X7R2A106K250AC
Capacitance=10μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:3.2x2.5x2.5mm
Mid Volt. (100 to 630V)
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CKG57NX7R2A106M500JH
Capacitance=10μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:6x5x5mm
MEGACAP type
積層セラミックチップコンデンサ
CKG57NX7R2A106M500JJ
Capacitance=10μF
Edc=100V
T.C.=X7R
LxWxT:6x5x5mm
MEGACAP type
AEC-Q200
積層型リード付きコンデンサ
FA11X7R1H105KNU00
Capacitance=1μF
Edc=50V
T.C.=X7R
LxWxT:5.5x7x4mm, Lead pitch:2.5mm
AEC-Q200
General
インダクタ(コイル)
MLZ1608M4R7WT000
L=4.7μH
Rated current=120mA
L x W x T :
1.6 x 0.8 x 0.8mm
インダクタ(コイル)
VLS252012HBX-4R7M-1
L=4.7μH
Rated current=1.9A
L x W x T :
2.5 x 2 x 1.2mm
3端子フィルタ
MEM1608P25R0T001
Cut-Off frequency=25MHz
Rated current=100mA
L x W x T :
1.6mm x 0.8mm x 0.6mm
