EMI抑制コンデンサ
B32932A3104K289
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| ノイズ制御クラス |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 備考 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
製品情報
ドキュメント
技術支援ツール
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積層セラミックチップコンデンサ
C3216C0G2J101G060AA
Capacitance=100pF
Edc=630V
T.C.=C0G
LxWxT:3.2x1.6x0.6mm
Mid Volt. (100 to 630V)
EMI抑制コンデンサ
B32923C3225K000
2.2uF, 305Vrms AC
14.5m(W) x 29.5m(H) x 26.5m(L)
インダクタ(コイル)
SPM4030T-R40M
L=0.40μH
Rated current=7.8A
L x W x T :
4.2 x 4.0 x 3.0mm
チップバリスタ/セラミック過渡電圧サプレッサ
AVRM1608C270KT800M
Maximum continuous voltage [DC]=19V
Maximum Clamping Voltage (8/20uS)=53V
リード付きディスクバリスタ
B72220S0381K101
Max. Operating Voltage [AC]=385Vrms
Max. Surge Current Imax(8/20μs,1time)=8000A
サージアレスタ
B88069X2190T502
2 electrodes Arresters
Nominal DC sparkover voltage = 2500V
サージアレスタ
B88069X3813A103
2 electrodes Arresters
Nominal DC sparkover voltage = 3600V
