EMI抑制コンデンサ
B32932A3334K000
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寸法
| 幅(w) |
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| 高さ(h) |
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| 長さ(l) |
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| リード間隔(e) |
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| その他詳細 |
電気的特性
| 静電容量 |
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| 実効電圧 [AC] |
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| 電圧上昇率 |
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| その他詳細 |
その他
| 誘電体(形式) |
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| 設計 |
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| ノイズ制御クラス |
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| AEC-Q200 |
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| THBテスト性能 |
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| 備考 |
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| 梱包形態 |
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| その他詳細 |
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積層セラミックチップコンデンサ
C1005C0G1H271J050BA
Capacitance=270pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1x0.5x0.5mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
C2012C0G2A153J085AE
Capacitance=15nF
Edc=100V
T.C.=C0G
LxWxT:2x1.25x0.85mm
Soft termination
積層セラミックチップコンデンサ
C3216X5R1A686M160AC
Capacitance=68μF
Edc=10V
T.C.=X5R
LxWxT:3.2x1.6x1.6mm
General
積層セラミックチップコンデンサ
CGA1A2C0G1H030C030BA
Capacitance=3pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:0.6x0.3x0.3mm
General
AEC-Q200
積層セラミックチップコンデンサ
CGA2B2C0G1H271J050BA
Capacitance=270pF
Edc=50V
T.C.=C0G
LxWxT:1x0.5x0.5mm
General
AEC-Q200
EMI抑制コンデンサ
B32932A3473M189
0.047uF, 305Vrms AC
5m(W) x 10.5m(H) x 18m(L)
インダクタ(コイル)
NLCV32T-6R8M-EF
L=6.8μH
DC Resistance=0.351Ω
L x W x T :
3.2 x 2.5 x 2.2mm
インダクタ(コイル)
NLCV32T-6R8M-PF
L=6.8μH
DC Resistance=0.351Ω
L x W x T :
3.2 x 2.5 x 2.2mm
チップビーズ
MMZ1005S102ET000
|Z|=1000Ω at 100MHz
|Z|=1400Ω at 1GHz
Rated current=250mA
L x W x T :
1mm x 0.5mm x 0.5mm
チップビーズ
MPZ2012S101AT000
|Z|=100Ω at 100MHz
Rated current=4A
L x W x T :
2mm x 1.25mm x 0.85mm
